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玻璃應用 More

聚焦TFT-LCD和Touch Panel兩大產業濕式設備客戶群,專注於清洗、蝕刻製程研發及Total Solution服務 (設備製造與技術移植) 提供,協同客戶合作制定產線生產規範與製程良率提升,共創雙贏局面。

Glass Slimming Machine (GSM)

利用HF蝕刻搭配浸泡式製造流程,將TFT-LCD或TP蓋板玻璃進行薄化,可進行全廠製程與供酸、補酸、過濾設備之規劃。

OGS 2nd Strengthen Machine (STE)

OGS或蓋板玻璃邊緣蝕刻目的是修飾產品經過CNC加工後的缺陷,這些產品問題可由蝕刻進行玻璃邊緣之修飾,可提升產品的抗機械彎曲能力(4pb test)。

AG Glass Etch Machine (AGE)

利用物理方式或化學方式將蓋板玻璃表面進行粗糙化,再經過化學拋光製程達到特定的Haze、Gloss、transmittance產品規格,為全廠製程建置工藝。

TFT-LCD Cell APR Plate Cleaner (APR)

TFT-LCD光感應樹酯軟板清洗設備,利用NMP移除APR板上的PI液,再搭配高效能清洗製程移除NMP液體,製程保證不傷APR板且無particle汙染問題 。

High end Glass Cleaner (CLR)

利用高效能清洗製程搭配特殊化學配方將玻璃上的particle 清除,blank glass particle remove ratio 10μm以上99%,適合潔淨度要求較高的玻璃產品。

覆晶封裝 More

晶圓凸塊是覆晶的必要程序,弘塑晶圓著重於凸塊製程的研究與設備開發。

UBM 蝕刻介紹

Under Bump Metallization (UBM) etching,UBM蝕刻是以凸塊或光阻當作蝕刻遮罩層(Etching mask),然後將未被覆蓋之UBM金屬層作蝕刻去除,以隔離個別凸塊。它是覆晶技術中的一個關鍵製程。

TiW Etch

鈦(Ti)、鈦鎢(TiW)和鈦鎢氮(TiW(N))等UBM金屬,具有雙重特性:可作為UBM之附著層(Adhesion Layer)及阻障層(Barrier Layer)。因這些UBM金屬直接接觸到晶片最終金屬層(Final metallization layer)和鈍化層(Passivation Layer),所以蝕刻液需有足夠的蝕刻速率,並且能避免攻擊到最終金屬層、鈍化層和凸塊材料(Bump M

PR Stripper

完成凸塊電鍍(Bump Electroplating)後,必須將基板表面上之光阻去除(PR Stripping),微電子構裝所使用光阻層厚度,一般比前段IC製造之光阻層厚,電子構裝使用之光阻厚度範圍為:25~250μm。因為負光阻產生交連作用(Cross-linking),光阻比較不易去除,常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)。乾膜光

乾膜光阻去除

因為負光阻產生交連作用(Cross-linking),光阻比較不易去除,常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)。幹膜光阻去除(PR stripping)制程一般使用Wet Bench批次設備

Flux clean

應用在於封裝製程中助焊劑的清洗,提供凸塊於Reflow製程,一個乾淨的表面。助焊劑的用途為促進錫鉛之流動性,通常在助熔劑中會添加一些酸性成份以提高助熔劑之活性,如果在reflow製程後未作適當去除酸性成份,則會引起腐蝕和電遷移問題。

Scrubber

Scrubber(Wafer clean)機臺是水清洗wafer表面,來去除wafer表面外來的微塵顆粒(particle)

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光電產業 More

弘塑提供濕式機臺於光電產業,主要應用於砷化鎵蝕刻,PSS 製程的磷酸蝕刻,標準的RCA 清洗與 晶圓表面粗糙化製程等等。

砷化鎵蝕刻

第三第五族半導體(砷化鎵為中一種)主要應用於光電與高頻通訊元件,與一般使用矽(第四族)元件於製程上是相當不同的,弘塑專為為砷化鎵高頻通訊元件提供了單片旋轉式(single wafer spin)濕式蝕刻製程設備。

PSS 高溫熱磷酸製程

使用標準微影技術及乾式蝕刻來蝕刻部份的P-type GaN層,以露出N-type GaN層,進而定義發光區域及電極。濕式蝕刻圖形化藍寶石基板後,接著生長GaN磊晶層的LED結構。

RCA clean 製程

半導體晶圓製程中有五大污染物:微粒、金屬不純物、有機污染物、自然生成氧化層及晶圓表面的微粗糙等,常用化學品有 SC-1(APM)、SC-2(HPM)、SPM、HF及BHF等,其成份與功能如下表所示。SC1及SC2最早由RCA公司所發明用於清洗製程,所以SC-1及SC-2又稱RCA-1及RCA-2。

Roughness 製程

太陽電池製造的第一步就是晶片清洗(Wafer Cleaning)。在晶片清洗後,其表面要進行粗糙化(Texture)處理,由於平坦的矽晶表面會使部分太陽光反射而無法貢獻於發電,為了減少反射光的損失,必須將矽晶片表面蝕刻出有粗糙化的結構,藉以降低反射光的比率。

前段製程 More

於半導體前段製程,弘塑提供了光罩清洗,原材料晶圓清洗,與應力緩解的設備。

光罩清洗機

Mask clean光罩清洗機目前主要產品應用於清洗9吋及14吋光罩,清洗方式為利用旋轉光罩配合高壓水、毛刷清洗或是化學品噴灑於光罩上去除沾黏的光阻。

原材料矽片清洗

清洗利用濕式化學清洗(Wet Cleaning)技術,去除原材料矽片表面之微粒、有機物或無機物等。

應力緩解 (Stress Release) 機

矽晶圓背面研磨所產生之缺陷,一般包括:研磨損傷層(damaged layer)、晶體缺陷(Crystal Defect)和微裂痕(Micro-crack)等,經由矽濕式蝕刻製程,可以大大消除應力及損傷層,進而增加晶圓與晶片之強度。

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